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BSS215PH6327XTSA1

BSS215PH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSS215PH6327XTSA1  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-23-3

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


得捷:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS215PH6327XTSA1, 1.18 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
MOSFET P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3


e络盟:
INFINEON  BSS215PH6327XTSA1  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-23-3


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23


BSS215PH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

通道数 1

漏源极电阻 105 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 0.5 W

阈值电压 1.2 V

输入电容 260 pF

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 9.7 ns

输入电容Ciss 346pF @15VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, 车用, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSS215PH6327XTSA1引脚图与封装图
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