BAT54ALT1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
BAT54ALT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 10.0 A
电容 10.0 pF
正向电压 0.8 V
反向恢复时间 5 ns
正向电流 200 mA
最大正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA
正向电压Max 800mV @100mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BAT54ALT1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BAT54ALT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAT54ALT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 30V 10A | 当前型号 | 肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes | 当前型号 |
| 型号： BAT54ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 30V 10A | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BAT54ALT1G 小信号肖特基二极管, 双共阳极, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C | BAT54ALT1和BAT54ALT1G的区别 |
| 型号： BAT54CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 30V 200mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BAT54CLT1G 小信号肖特基二极管, 双共阴极, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C | BAT54ALT1和BAT54CLT1G的区别 |
| 型号： BAT54CTT1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 30V 200mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BAT54CTT1G 小信号肖特基二极管, 双共阴极, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C | BAT54ALT1和BAT54CTT1G的区别 |