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BS170_D75Z

BS170_D75Z

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BS170_D75Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

The is a N-channel enhancement-mode FET produced using "s proprietary high cell density DMOS technology. It is designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.

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High density cell design for low RDS ON
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Voltage controlled small signal switch
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Rugged and reliable
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High saturation current capability
BS170_D75Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

输入电容Ciss 40pF @10VVds

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

BS170_D75Z引脚图与封装图
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在线购买BS170_D75Z
型号 制造商 描述 购买
BS170_D75Z Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BS170_D75Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V 搜索库存
替代型号BS170_D75Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BS170_D75Z

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-92 N-Channel 60V 500mA 1.2ohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BS170_D75Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

当前型号

型号： BS170_D26Z

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-92 N-Channel 60V 500mA 1.2ohms

完全替代

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BS170_D26Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

BS170_D75Z和BS170_D26Z的区别

型号： BS170_D27Z

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-92 N-Channel 60V 500mA 1.2ohms

完全替代

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BS170_D27Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

BS170_D75Z和BS170_D27Z的区别

型号： BS170

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-92 N-Channel 60V 500mA 5ohms

类似代替

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BS170_D75Z和BS170的区别