BZX55C12_T26A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BZX55C12_T26A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 1.3V @100mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 12 V
正向电压Max 1.3V @100mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 4.56 mm
宽度 1.91 mm
高度 1.91 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX55C12_T26A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZX55C12_T26A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55C12_T26A | Fairchild 飞兆/仙童 | Diode Zener Single 12.05V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo | 搜索库存 |
替代型号BZX55C12_T26A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX55C12_T26A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DO-35 12V | 当前型号 | Diode Zener Single 12.05V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo | 当前型号 |
| 型号： 1N5242BTR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 12V | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5242BTR 单管二极管 齐纳, 1Nxxx系列, 12 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C | BZX55C12_T26A和1N5242BTR的区别 |
| 型号： BZX79C12 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 12V 12V | 类似代替 | 500mW，BZX79C 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | BZX55C12_T26A和BZX79C12的区别 |
| 型号： BZX55C12-TAP 品牌： 威世 封装： DO-35 12.7V | 功能相似 | 齐纳二极管 500mW，BZX55C 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | BZX55C12_T26A和BZX55C12-TAP的区别 |