BZX85C9V1-TAP中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
额定功率 1.3 W
击穿电压 9.10 V
针脚数 2
耗散功率 1.3 W
测试电流 25 mA
稳压值 9.1 V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
外形尺寸
长度 4.1 mm
宽度 2.6 mm
高度 2.6 mm
封装 DO-41
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 车用, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX85C9V1-TAP引脚图与封装图
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在线购买BZX85C9V1-TAP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX85C9V1-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZX85C9V1-TAP 单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 9.1 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C | 搜索库存 |
替代型号BZX85C9V1-TAP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX85C9V1-TAP 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-41 9.1V | 当前型号 | VISHAY BZX85C9V1-TAP 单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 9.1 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C | 当前型号 |
| 型号： BZV85-C9V1 品牌： 恩智浦 封装： DO-41 | 功能相似 | NXP BZV85-C9V1 单管二极管 齐纳, 9.1 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C | BZX85C9V1-TAP和BZV85-C9V1的区别 |
| 型号： BZX85C9V1 品牌： 安森美 封装： DO-41 | 功能相似 | 齐纳二极管 1W，BZX85C 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | BZX85C9V1-TAP和BZX85C9V1的区别 |
| 型号： 1N5924B 品牌： Taitron 封装： | 功能相似 | 1.5W Zener Diodes | BZX85C9V1-TAP和1N5924B的区别 |