
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830mW Ta
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99

BS170_D26Z引脚图

BS170_D26Z封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BS170_D26Z | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D26Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BS170_D26Z 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 60V 500mA 1.2ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D26Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V | 当前型号 | |
型号: BS170_D27Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 60V 500mA 1.2ohms | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D27Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V | BS170_D26Z和BS170_D27Z的区别 | |
型号: BS170_D75Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 60V 500mA 1.2ohms | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D75Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V | BS170_D26Z和BS170_D75Z的区别 | |
型号: BS170 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 60V 500mA 5ohms | 类似代替 | N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | BS170_D26Z和BS170的区别 |