BZV55-B51,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BZV55-B51,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
测试电流 2 mA
稳压值 51 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-80
外形尺寸
长度 3.7 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOD-80
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 46.9 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZV55-B51,115引脚图与封装图
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在线购买BZV55-B51,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV55-B51,115 | NXP 恩智浦 | Mini-MELF 51V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号BZV55-B51,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV55-B51,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： Mini-MELF | 当前型号 | Mini-MELF 51V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： BZV55-B51 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | BZV55-B51 稳压二极管 51V 500mW/0.5W SOD80/LL34-51V marking/标记 低电压的稳定剂或电压基准 | BZV55-B51,115和BZV55-B51的区别 |
| 型号： 1N5262B 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | Zener Diode 51V 5% 0.5W1/2W Do-35 Case | BZV55-B51,115和1N5262B的区别 |