BZB784-C9V1,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BZB784-C9V1,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 350 mW
测试电流 5 mA
稳压值 9.1 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 180 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
温度系数 5.2 MV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZB784-C9V1,115引脚图与封装图
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在线购买BZB784-C9V1,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZB784-C9V1,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 9.05V 350mW | 搜索库存 |
替代型号BZB784-C9V1,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZB784-C9V1,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-70 | 当前型号 | SC-70 9.05V 350mW | 当前型号 |
| 型号： AZ23C9V1-7-F 品牌： 美台 封装： TO-236-3 9.1V | 功能相似 | Diode Zener Dual Common Anode 9.05V 5% 300mW 3Pin SOT-23 T/R | BZB784-C9V1,115和AZ23C9V1-7-F的区别 |