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BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 20V 1.5A

表面贴装型 N 通道 20 V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6


得捷:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6


欧时:
Infineon MOSFET BSD214SNH6327XTSA1


立创商城:
N沟道 20V 1.5A


贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363


BSD214SNH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

极性 N-CH

耗散功率 0.5 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 7.8 ns

输入电容Ciss 143pF @10VVds

下降时间 1.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSD214SNH6327XTSA1引脚图与封装图
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