BF820W,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BF820W,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF820W,115引脚图与封装图
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在线购买BF820W,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF820W,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 300V 0.05A | 搜索库存 |
替代型号BF820W,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF820W,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-70 NPN 200mW | 当前型号 | SC-70 NPN 300V 0.05A | 当前型号 |
| 型号： BF820W,135 品牌： 恩智浦 封装： SC-70 NPN | 完全替代 | SC-70 NPN 300V 0.05A | BF820W,115和BF820W,135的区别 |
| 型号： BF820W 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NPN型高压晶体管 NPN high-voltage transistor | BF820W,115和BF820W的区别 |
| 型号： BF820,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 NPN | 功能相似 | NXP BF820,215 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 60 MHz, 250 mW, 50 mA, 50 hFE | BF820W,115和BF820,215的区别 |