BCV61BE6433HTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCV61BE6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 100
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 300 mW
额定电压 30 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 TO-253-4
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电流镜像
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCV61BE6433HTMA1引脚图与封装图
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在线购买BCV61BE6433HTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCV61BE6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BCV61BE6433HTMA1, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装 | 搜索库存 |
替代型号BCV61BE6433HTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCV61BE6433HTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-253-4 NPN | 当前型号 | Infineon BCV61BE6433HTMA1, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装 | 当前型号 |
| 型号： BCV61BE6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-143 30V 100mA | 完全替代 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | BCV61BE6433HTMA1和BCV61BE6327HTSA1的区别 |