BZX585-B12,135
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BZX585-B12,135中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 300 mW
测试电流 5 mA
稳压值 12 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
封装 SOD-523
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 7.9 MV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZX585-B12,135引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZX585-B12,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX585-B12,135 | NXP 恩智浦 | SOD-523 12V 300mW | 搜索库存 |
替代型号BZX585-B12,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX585-B12,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-79 | 当前型号 | SOD-523 12V 300mW | 当前型号 |
| 型号： BZX585-B12 品牌： 恩智浦 封装： SOD-523 | 完全替代 | 300mW，BZX585 系列，NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX585-B 和 5% BZX585-C 表面安装外壳，SOD-523 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | BZX585-B12,135和BZX585-B12的区别 |
| 型号： MM5Z12VT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-523 12V | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MM5Z12VT1G. 齐纳二极管, 200mW, 12V, SOD-523 | BZX585-B12,135和MM5Z12VT1G的区别 |