BAT54C-G
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Comchip Technology
上华科技
分立器件
BAT54C-G中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @100mA
耗散功率 225 mW
反向恢复时间 5 ns
正向电流 200 mA
正向电流Max 200 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 125℃ Max
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAT54C-G引脚图与封装图
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在线购买BAT54C-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAT54C-G | Comchip Technology 上华科技 | BAT54C-G 二极管, 200mA 30V 5ns, 3针 SOT-23封装 | 搜索库存 |
替代型号BAT54C-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAT54C-G 品牌： Comchip Technology 上华科技 封装： SOT-23 | 当前型号 | BAT54C-G 二极管, 200mA 30V 5ns, 3针 SOT-23封装 | 当前型号 |
| 型号： BAT54C 品牌： 威世 封装： SOT-23 100A 400mV | 功能相似 | 肖特基二极管， 2× 0.1 A Schottky Diode, 2 x 0.1 A | BAT54C-G和BAT54C的区别 |
| 型号： BAT54C/E8 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, Schottky, 2Element, 0.2A, 30V VRRM, Silicon, TO-236AB | BAT54C-G和BAT54C/E8的区别 |