BZX884-C3V9,315
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NXP
恩智浦
分立器件
BZX884-C3V9,315中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 250 mW
测试电流 5 mA
稳压值 3.905 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-882
外形尺寸
封装 SOD-882
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 -1.9 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZX884-C3V9,315引脚图与封装图
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在线购买BZX884-C3V9,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX884-C3V9,315 | NXP 恩智浦 | DFN 3.905V 0.25W1/4W | 搜索库存 |
替代型号BZX884-C3V9,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX884-C3V9,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOD | 当前型号 | DFN 3.905V 0.25W1/4W | 当前型号 |
| 型号： BZX884-C3V9 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 3.9V VZ, 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional | BZX884-C3V9,315和BZX884-C3V9的区别 |