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BSS131H6327XTSA1

BSS131H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

SIPMOS® N 通道 MOSFET


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS131H6327XTSA1, 110 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
N沟道 240V 110mA


得捷:
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  BSS131H6327XTSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 110 mA, 240 V, 7.7 ohm, 10 V, 1.4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23


BSS131H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.36 W

针脚数 3

漏源极电阻 7.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 mW

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 0.11A

上升时间 3.1 ns

输入电容Ciss 58pF @25VVds

下降时间 64.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Communications & Networking, Onboard charger, 电机驱动与控制, 车用, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSS131H6327XTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSS131H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号BSS131H6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS131H6327XTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 240V 0.11A

当前型号

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: BSS131

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 N-Channel 240V 100mA

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BSS131H6327XTSA1和BSS131的区别