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BAT42W RH
Taiwan Semiconductor 台湾半导体 分立器件

肖特基势垒二极管,最大 1A,Taiwan Semiconductor低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor

肖特基势垒,最大 1A,

低功率损耗

低正向压降

高电流容量


艾睿:
Diode Small Signal Schottky 30V 0.2A 2-Pin SOD-123 T/R


Allied Electronics:
200mW Schottky Diode 30V 200mA SOD123


BAT42W RH中文资料参数规格
技术参数

反向恢复时间 5 ns

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 4 A

正向电压Max 650 mV

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123

外形尺寸

长度 2.85 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.25 mm

封装 SOD-123

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BAT42W RH引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BAT42W RH Taiwan Semiconductor 台湾半导体 肖特基势垒二极管,最大 1A,Taiwan Semiconductor 低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor 搜索库存