BZX84J-C36,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BZX84J-C36,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 550 mW
测试电流 5 mA
稳压值 36 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 550 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.55 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
外形尺寸
长度 1.8 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.8 mm
封装 SOD-323
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 33.9 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZX84J-C36,115引脚图与封装图
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在线购买BZX84J-C36,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX84J-C36,115 | NXP 恩智浦 | 550mW，BZX84J 系列，NXP Semiconductors NXP 的 BZX84J 系列齐纳二极管为通用设备。 这些单齐纳二极管采用 SOD323F SC-90 封装。 此塑料封装为非常小巧的扁平引线表面安装（贴片）。 BZX84J 系列特别适用于一般调节功能。 \- 非重复峰值反向功耗：40mW \- 总功耗：550mW \- 小型塑料封装，用于表面安装设计 \- 宽工作电压范围：标称 2.4V 至 75V（E24 系列） \- 两个容差系列：2% 和 5% \- 低差分电阻 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号BZX84J-C36,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX84J-C36,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOD | 当前型号 | 550mW，BZX84J 系列，NXP SemiconductorsNXP 的 BZX84J 系列齐纳二极管为通用设备。 这些单齐纳二极管采用 SOD323F SC-90 封装。 此塑料封装为非常小巧的扁平引线表面安装（贴片）。 BZX84J 系列特别适用于一般调节功能。 \- 非重复峰值反向功耗：40mW \- 总功耗：550mW \- 小型塑料封装，用于表面安装设计 \- 宽工作电压范围：标称 2.4V 至 75V（E24 系列） \- 两个容差系列：2% 和 5% \- 低差分电阻 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： MM5Z36VT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-523 36V | 功能相似 | 500mW，MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1G 系列，ON Semiconductor表面安装外壳，SOD-523 ### Zener Diodes, ON Semiconductor | BZX84J-C36,115和MM5Z36VT1G的区别 |