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BFN26E6433HTMA1

BFN26E6433HTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-23 NPN 300V 0.2A

Bipolar BJT Transistor NPN 300V 200mA 70MHz 360mW Surface Mount SOT-23-3


得捷:
TRANS NPN 300V 0.2A SOT23


艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS


BFN26E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 30 @30mA, 10V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFN26E6433HTMA1引脚图与封装图
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在线购买BFN26E6433HTMA1
型号 制造商 描述 购买
BFN26E6433HTMA1 Infineon 英飞凌 SOT-23 NPN 300V 0.2A 搜索库存
替代型号BFN26E6433HTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFN26E6433HTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 NPN

当前型号

SOT-23 NPN 300V 0.2A

当前型号

型号: BFN26E6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 300V 200mA 360mW

完全替代

Infineon BFN26E6327HTSA1 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=300 V, HFE:30, 70 MHz, 3引脚 SOT-23封装

BFN26E6433HTMA1和BFN26E6327HTSA1的区别