BSS64,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSS64,215中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 60 @1mA, 1V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSS64,215引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSS64,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS64,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236-3 NPN 250mW | 当前型号 | TO-236AB NPN 80V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BSS64LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 80V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSS64LT1G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE 新 | BSS64,215和BSS64LT1G的区别 |
| 型号： BSS64 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB | 功能相似 | BSS64 N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 AMP 增强模式/逻辑电平 | BSS64,215和BSS64的区别 |
| 型号： TMPTA06LT 品牌： 急速微电子 封装： | 功能相似 | TMPTA06LT NPN三极管 80V 10mA 100MHz 50 1V SOT-23/SC-59 marking/标记 1G | BSS64,215和TMPTA06LT的区别 |