BZT52C10-V-GS08
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
BZT52C10-V-GS08中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 410 mW
测试电流 5 mA
稳压值 10 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-123
外形尺寸
长度 2.85 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.25 mm
封装 SOD-123
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZT52C10-V-GS08引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZT52C10-V-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes | 搜索库存 |
替代型号BZT52C10-V-GS08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZT52C10-V-GS08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOD-123 | 当前型号 | 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes | 当前型号 |
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