BD7562FVM-TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BD7562FVM-TR中文资料参数规格
技术参数
供电电流 900 µA
电路数 2
通道数 2
共模抑制比 45 dB
带宽 1.00 MHz
转换速率 900 mV/μs
增益频宽积 1 MHz
输入补偿电压 1 mV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
增益带宽 1 MHz
共模抑制比Min 45 dB
电源电压Max 14.5 V
电源电压Min 5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSSOP-8
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 2.8 mm
高度 0.75 mm
封装 VSSOP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
香港进出口证 NLR
BD7562FVM-TR引脚图与封装图 
BD7562FVM-TR引脚图
BD7562FVM-TR封装图
BD7562FVM-TR封装焊盘图
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| BD7562FVM-TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | OP Amp Dual GP R-R I/O 7.25V/14.5V 8Pin MSOP T/R | 搜索库存 |