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BZT52C2V4-V-GS18

BZT52C2V4-V-GS18

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
BZT52C2V4-V-GS18中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 410 mW

测试电流 5 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

封装 SOD-123

外形尺寸

长度 2.85 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.25 mm

封装 SOD-123

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BZT52C2V4-V-GS18引脚图与封装图
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BZT52C2V4-V-GS18 Vishay Semiconductor 威世 稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-BZT52C2V4-E3-18 搜索库存
替代型号BZT52C2V4-V-GS18
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZT52C2V4-V-GS18

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOD-123

当前型号

稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-BZT52C2V4-E3-18

当前型号

型号: MMSZ5221BT1G

品牌: 安森美

封装: SOD-123 2.4V 2.52V

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型号: MMSZ5223BT1G

品牌: 安森美

封装: SOD-123 2.7V

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMSZ5223BT1G  单管二极管 齐纳, 稳压器, 2.7 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

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型号: MMSZ2V4T1G

品牌: 安森美

封装: SOD-123 2.4V

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMSZ2V4T1G  单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

BZT52C2V4-V-GS18和MMSZ2V4T1G的区别