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BZT52C12-V-GS08

BZT52C12-V-GS08

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
BZT52C12-V-GS08中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 12 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123

外形尺寸

长度 2.85 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.25 mm

封装 SOD-123

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BZT52C12-V-GS08引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BZT52C12-V-GS08 Vishay Semiconductor 威世 500mW,BZT52-V 系列,Vishay Semiconductor ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号BZT52C12-V-GS08
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZT52C12-V-GS08

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOD-123

当前型号

500mW,BZT52-V 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: BZT52C12-7-F

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封装: SOD-123 12V

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封装: SOD-123

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