BZT55B56-GS18中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 2.5 mA
稳压值 56 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-80
外形尺寸
长度 3.7 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOD-80
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BZT55B56-GS18引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZT55B56-GS18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZT55B56-GS18 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 56V 2% 0.5W1/2W 2Pin Quadro MELF SOD-80 T/R | 搜索库存 |