BZT55B51-GS18中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 2.5 mA
稳压值 51 V
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-80
外形尺寸
封装 SOD-80
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
BZT55B51-GS18引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZT55B51-GS18 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 51V 2% 0.5W1/2W 2Pin Quadro MELF SOD-80 T/R | 搜索库存 |