BZT55B9V1-GS18中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 9.1 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-80
外形尺寸
长度 3.7 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOD-80
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BZT55B9V1-GS18引脚图与封装图
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在线购买BZT55B9V1-GS18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZT55B9V1-GS18 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 9.1V 2% 0.5W1/2W 2Pin Quadro MELF SOD-80 T/R | 搜索库存 |
替代型号BZT55B9V1-GS18
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZT55B9V1-GS18 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOD-80 | 当前型号 | Diode Zener Single 9.1V 2% 0.5W1/2W 2Pin Quadro MELF SOD-80 T/R | 当前型号 |
| 型号： BZT55A9V1-GS18 品牌： 威世 封装： DO-213 | 功能相似 | Diode Zener Single 9.1V 1% 0.5W1/2W Automotive 2Pin Quadro MELF SOD-80 T/R | BZT55B9V1-GS18和BZT55A9V1-GS18的区别 |