BA8522RF-E2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
BA8522RF-E2中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤50 mA
供电电流 5.5 mA
电路数 2
耗散功率 0.78 W
共模抑制比 70 dB
增益频宽积 6 MHz
输入补偿电压 100 µV
输入偏置电流 50 nA
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 6 MHz
共模抑制比Min 70 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 105℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BA8522RF-E2引脚图与封装图 
BA8522RF-E2引脚图
BA8522RF-E2封装图
BA8522RF-E2封装焊盘图
在线购买BA8522RF-E2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BA8522RF-E2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | OP Amp Dual GP 16V/32V 8Pin SOP T/R | 搜索库存 |
替代型号BA8522RF-E2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BA8522RF-E2 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOP | 当前型号 | OP Amp Dual GP 16V/32V 8Pin SOP T/R | 当前型号 |
| 型号： TL5580IDG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 5V/us 2Channel | 功能相似 | 精密放大器 Dual Low-Noise Wide Bndwdth Precsion Amp | BA8522RF-E2和TL5580IDG4的区别 |
| 型号： TL5580IDRG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 12MHz 2Channel 8Pin | 功能相似 | 精密放大器 Dual Low-Noise Wide Bndwdth Precsion Amp | BA8522RF-E2和TL5580IDRG4的区别 |