频率 300 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号: BC548BG 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 30V 100mA 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号: BC548BZL1G 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 30V 100mA 625mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC548BZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE | BC548BG和BC548BZL1G的区别 |
| 型号: BC548B 品牌: 安森美 封装: TO-92 30V 100mA | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | BC548BG和BC548B的区别 |
| 型号: BC548BRL1 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 30V 100mA | 完全替代 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | BC548BG和BC548BRL1的区别 |
