BZT52H-B11,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 830 mW
稳压值 11 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 375 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123F
封装 SOD-123F
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZT52H-B11,115 | NXP 恩智浦 | SOD-123F 11V 830mW | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZT52H-B11,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOD-123F | 当前型号 | SOD-123F 11V 830mW | 当前型号 | |
型号: BZT52H-C11,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT353 | 类似代替 | BZT52H 系列 11 V 250 mA 表面贴装 单通道 齐纳二极管 - SOD123F | BZT52H-B11,115和BZT52H-C11,115的区别 | |
型号: BZT52H-B11 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Zener Diode | BZT52H-B11,115和BZT52H-B11的区别 |