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BSS816NWH6327XTSA1

BSS816NWH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSS816NWH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 20 V, 0.107 ohm, 2.5 V, 550 mV 新

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
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* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NWH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


得捷:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3


立创商城:
BSS816NWH6327XTSA1


贸泽:
MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Newark:
# INFINEON  BSS816NWH6327XTSA1  MOSFET, N-CH, 20V, 1.4A, SOT-323-3 New


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323


BSS816NWH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.107 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 550 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 1.4A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 126pF @10VVds

下降时间 2.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSS816NWH6327XTSA1引脚图与封装图
BSS816NWH6327XTSA1引脚图

BSS816NWH6327XTSA1引脚图

BSS816NWH6327XTSA1封装焊盘图

BSS816NWH6327XTSA1封装焊盘图

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BSS816NWH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSS816NWH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 20 V, 0.107 ohm, 2.5 V, 550 mV 新 搜索库存