BZB84-B12,215
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NXP
恩智浦
分立器件
BZB84-B12,215中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 250 mW
测试电流 5 mA
稳压值 12 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 300 mW
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 8 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZB84-B12,215引脚图与封装图
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在线购买BZB84-B12,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZB84-B12,215 | NXP 恩智浦 | SOT-23 12V 300mW | 搜索库存 |
替代型号BZB84-B12,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZB84-B12,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236-3 | 当前型号 | SOT-23 12V 300mW | 当前型号 |
| 型号： BZB84-B12 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | 双齐纳二极管 Dual Zener diodes | BZB84-B12,215和BZB84-B12的区别 |