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BSS214NH6327XTSA1

BSS214NH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

OptiMOS™ 小信号 MOSFET


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS214NH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


得捷:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23


BSS214NH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.106 Ω

极性 N-CH

耗散功率 0.5 W

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 7.8 ns

输入电容Ciss 107pF @10VVds

下降时间 1.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSS214NH6327XTSA1引脚图与封装图
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BSS214NH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存