BLF6G27LS-75,112

Ampleon USA 分立器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3Pin SOT-502B Blister

RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 9W SOT502B

得捷:
RF FET LDMOS 65V SOT502B

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3-Pin SOT-502B Blister

Win Source:
RF FET LDMOS 65V SOT502B

BLF6G27LS-75,112中文资料参数规格

技术参数

额定电流 18 A

输出功率 9 W

测试电流 600 mA

额定电压 65 V

封装参数

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF6G27LS-75,112引脚图与封装图

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BLF6G27LS-75,112	Ampleon USA	Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3Pin SOT-502B Blister	搜索库存