BC857BQAZ

NXP 恩智浦分立器件

DFN-D PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3

得捷:
NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN

艾睿:
NPN General-Purpose Transistor

BC857BQAZ中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC857BQAZ引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BC857BQAZ

型号	制造商	描述	购买
BC857BQAZ	NXP 恩智浦	DFN-D PNP 45V 0.1A	搜索库存