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BG5120KE6327HTSA1

BG5120KE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

MOSFET N-CH DUAL 8V 20mA SOT-363

RF Mosfet 2 N-通道(双) 5 V 10 mA 800MHz 23dB - PG-SOT363-6


得捷:
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363


Win Source:
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363


BG5120KE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电流 20 mA

增益 23 dB

测试电流 10 mA

额定电压 8 V

封装参数

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BG5120KE6327HTSA1引脚图与封装图
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BG5120KE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 MOSFET N-CH DUAL 8V 20mA SOT-363 搜索库存