BG 3230 E6327

Infineon(英飞凌) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 DUAL N-Channel MOSFET Tetrode 5V

RF Mosfet 2 N-Channel Dual 5V 800MHz 24dB PG-SOT363-6

得捷:
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 DUAL N-Channel MOSFET Tetrode 5V

BG 3230 E6327中文资料参数规格

技术参数

频率 800 MHz

额定电压DC 8.00 V

额定电流 25 mA

耗散功率 200 mW

输入电容 1.90 pF

漏源极电压Vds 8.00 V

连续漏极电流Ids 25.0 mA

增益 24 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BG 3230 E6327引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BG 3230 E6327

型号	制造商	描述	购买
BG 3230 E6327	Infineon 英飞凌	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 DUAL N-Channel MOSFET Tetrode 5V	搜索库存