BF 5020 E6327

Infineon(英飞凌) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Silicon N-Ch MOSFET Tetrode

RF Mosfet N 通道 5 V 10 mA 800MHz 26dB - PG-SOT143-4

得捷:
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Silicon N-Ch MOSFET Tetrode

安富利:
Trans MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4

BF 5020 E6327中文资料参数规格

技术参数

频率 800 MHz

额定电流 25 mA

耗散功率 200 mW

增益 26 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF 5020 E6327引脚图与封装图

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