BAS40T-TP中文资料参数规格
技术参数
电容 5.00 pF
输出电流 ≤200 mA
正向电压 1V @40mA
极性 Standard
耗散功率 150 mW
反向恢复时间 5 ns
正向电压Max 1V @40mA
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523
外形尺寸
封装 SOT-523
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAS40T-TP引脚图与封装图
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在线购买BAS40T-TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAS40T-TP | Micro Commercial Components 美微科 | Diode Small Signal Schottky 40V 0.2A 3Pin SOT-523 T/R | 搜索库存 |
替代型号BAS40T-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAS40T-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： SOT523 | 当前型号 | Diode Small Signal Schottky 40V 0.2A 3Pin SOT-523 T/R | 当前型号 |
| 型号： DAN217UT106 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-323 80V 300mA 3Pin | 功能相似 | ROHM DAN217UT106 二极管 小信号, 双系列, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A | BAS40T-TP和DAN217UT106的区别 |
| 型号： RB521G-30T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： VMD2 350mV | 功能相似 | 900mA，ROHM | BAS40T-TP和RB521G-30T2R的区别 |
| 型号： NRVB130T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123 | 功能相似 | 1A 至 2A，ON Semiconductor### 标准Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified. | BAS40T-TP和NRVB130T1G的区别 |