BF 1005SR E6327

Infineon(英飞凌) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 9V

RF Mosfet N-Channel 5V 800MHz 22dB PG-SOT143R-4

得捷:
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 9V

安富利:
Trans MOSFET N-CH 8V 0.025A 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R

BF 1005SR E6327中文资料参数规格

技术参数

频率 800 MHz

额定电压DC 8.00 V

额定电流 25 mA

耗散功率 200 mW

输入电容 2.70 pF

漏源极电压Vds 8.00 V

连续漏极电流Ids 25.0 mA

增益 22 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-143R-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-143R-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF 1005SR E6327引脚图与封装图

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