
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 220 MHz
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BCV26,235 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236 PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 30V 0.5A | 当前型号 | |
型号: BCV26 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 PNP | 完全替代 | NXP BCV26 双极晶体管阵列, 双PNP, -30 V, 250 mW, -500 mA, 4000 hFE, SOT-23 新 | BCV26,235和BCV26的区别 | |
型号: BCV26,215 品牌: 安世 封装: TO-236AB | 类似代替 | BCV26,215 编带 | BCV26,235和BCV26,215的区别 | |
型号: PMBTA64,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236AB PNP 250mW | 类似代替 | TO-236AB PNP 30V 0.5A | BCV26,235和PMBTA64,215的区别 |