BZV85-C3V9,113
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NXP
恩智浦
分立器件
BZV85-C3V9,113中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1V @50mA
耗散功率 1300 mW
测试电流 60 mA
稳压值 3.9 V
正向电压Max 1V @50mA
额定功率Max 1.3 W
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AL
外形尺寸
封装 DO-204AL
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 -2.25 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZV85-C3V9,113引脚图与封装图
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在线购买BZV85-C3V9,113
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV85-C3V9,113 | NXP 恩智浦 | DO-41 3.9V 1.3W | 搜索库存 |
替代型号BZV85-C3V9,113
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV85-C3V9,113 品牌： NXP 恩智浦 封装： DO-204 | 当前型号 | DO-41 3.9V 1.3W | 当前型号 |
| 型号： BZV85-C3V9 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 3.9V VZ, 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41 | BZV85-C3V9,113和BZV85-C3V9的区别 |