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BZV85-C11,133

BZV85-C11,133

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

DO-41 11V 1.3W

Zener Diode 11V 1.3W ±5% Through Hole DO-41


得捷:
DIODE ZENER 11V 1.3W DO41


艾睿:
Diode Zener Single 11V 5% 1.3W 2-Pin DO-41 Ammo


安富利:
Diode Zener Single 11V 5% 1.3W 2-Pin DO-41 Ammo


Verical:
Zener Diode Single 11V 5% 10Ohm 1300mW 2-Pin DO-41 Ammo


Win Source:
DIODE ZENER 11V 1.3W DO41 / Zener Diode 11 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41


BZV85-C11,133中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1V @50mA

耗散功率 1.3 W

测试电流 20 mA

稳压值 11 V

正向电压Max 1V @50mA

额定功率Max 1.3 W

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

温度系数 7.3 mV/K

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BZV85-C11,133引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BZV85-C11,133 NXP 恩智浦 DO-41 11V 1.3W 搜索库存
替代型号BZV85-C11,133
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZV85-C11,133

品牌: NXP 恩智浦

封装: DO-204

当前型号

DO-41 11V 1.3W

当前型号

型号: 1N4743A

品牌: NTE Electronics

封装:

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型号: 1N4741A

品牌: NTE Electronics

封装:

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