BLC6G22LS-75,112

NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLC6G22LS-75/DFM2/TUBE-BULK//

RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 17W SOT896B, DFM2

得捷:
FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLC6G22LS-75/DFM2/TUBE-BULK//

艾睿:
FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B

BLC6G22LS-75,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

输出功率 17 W

增益 18.5 dB

测试电流 690 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 65 V

封装参数

封装 SOT-896B

外形尺寸

封装 SOT-896B

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLC6G22LS-75,112引脚图与封装图

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BLC6G22LS-75,112	NXP 恩智浦	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLC6G22LS-75/DFM2/TUBE-BULK//	搜索库存