
频率 100 MHz
额定电流 25 mA
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 30 V
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-226-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BF245C,112 | NXP 恩智浦 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 BULK FET-RFSS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF245C,112 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-226-3 | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 BULK FET-RFSS | 当前型号 | |
型号: BF245A,112 品牌: 恩智浦 封装: TO-226-3 N-Channel 300mW | 类似代替 | Trans JFET N-CH 30V 6.5mA 3Pin SPT Bulk | BF245C,112和BF245A,112的区别 | |
型号: BF245B,126 品牌: 恩智浦 封装: TO-226-3 | 类似代替 | Trans JFET N-CH 30V 15mA Si 3Pin SPT Ammo | BF245C,112和BF245B,126的区别 | |
型号: BF245B,112 品牌: 恩智浦 封装: TO-226-3 | 类似代替 | Trans JFET N-CH 30V 15mA Si 3Pin SPT Bulk | BF245C,112和BF245B,112的区别 |