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BLF4G10LS-120,112

BLF4G10LS-120,112

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

BASESTATION FINAL 1GHz SOT502B

RF Mosfet LDMOS 28V 650mA 920MHz ~ 960MHz 19dB 48W SOT502B


得捷:
FET RF 65V 960MHZ SOT502B


BLF4G10LS-120,112中文资料参数规格
技术参数

频率 920MHz ~ 960MHz

额定电流 12 A

输出功率 48 W

增益 19 dB

测试电流 650 mA

额定电压 65 V

封装参数

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF4G10LS-120,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF4G10LS-120,112 NXP 恩智浦 BASESTATION FINAL 1GHz SOT502B 搜索库存
替代型号BLF4G10LS-120,112
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF4G10LS-120,112

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-502B

当前型号

BASESTATION FINAL 1GHz SOT502B

当前型号

型号: BLF4G10LS-160,112

品牌: 恩智浦

封装: SOT-502B

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型号: BLF4G10-160,112

品牌: 恩智浦

封装: SOT502A

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型号: BLF4G10LS-120

品牌: 恩智浦

封装: LDMOST-3 28V 650mA

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