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BF1211R,215

BF1211R,215

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NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 29dB SOT-143R


得捷:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


Win Source:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R


BF1211R,215中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 6 V

增益 29 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1211R,215引脚图与封装图
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在线购买BF1211R,215
型号 制造商 描述 购买
BF1211R,215 NXP 恩智浦 Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R 搜索库存
替代型号BF1211R,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BF1211R,215

品牌： NXP 恩智浦

封装： SOT-143R 180mW

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R

当前型号

型号： BF1211R

品牌： 恩智浦

封装： SOT-143 6V 30mA

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