BF1212,215

NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30dB SOT-143B

得捷:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R

Win Source:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B / RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5 V 12 mA 400MHz 30dB SOT-143B

BF1212,215中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

极性 N-Channel

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 6.00 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

增益 30 dB

测试电流 12 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1212,215引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BF1212,215	NXP 恩智浦	Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R	搜索库存

替代型号BF1212,215

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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型号： BF1212R,215 品牌：恩智浦封装： SOT-143R 180mW	功能相似	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V	BF1212,215和BF1212R,215的区别
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