
频率 250 MHz
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-363-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stage and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC847PNH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | BCR48PN 系列 NPN/PNP 50 V 70 mA 硅 AF 晶体管 阵列 - SOT-363-6 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC847PNH6327XTSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL NPN PNP 250mW | 当前型号 | BCR48PN 系列 NPN/PNP 50 V 70 mA 硅 AF 晶体管 阵列 - SOT-363-6 | 当前型号 | |
型号: BC847PNH6433XTMA1 品牌: 英飞凌 封装: 6-VSSOP NPN PNP 0.25W | 完全替代 | SOT-363 NPN+PNP 45V 0.1A | BC847PNH6327XTSA1和BC847PNH6433XTMA1的区别 | |
型号: BC847PNH6727XTSA1 品牌: 英飞凌 封装: 6-VSSOP NPN+PNP 250mW | 类似代替 | SOT-363 NPN+PNP 45V 0.1A | BC847PNH6327XTSA1和BC847PNH6727XTSA1的区别 |