BSS7728NH6327XTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSS7728NH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 360mW Ta
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 2.7 ns
输入电容Ciss 37pF @25VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BSS7728NH6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BSS7728NH6327XTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS7728NH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 | 搜索库存 |
替代型号BSS7728NH6327XTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS7728NH6327XTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 N-CH 60V 0.2A | 当前型号 | Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 | 当前型号 |
| 型号： SN7002NH6327XTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23-3 N-CH 60V 0.2A | 类似代替 | Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 | BSS7728NH6327XTSA1和SN7002NH6327XTSA1的区别 |