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BLF6G20S-230PRN:11

BLF6G20S-230PRN:11

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLF6G20S-230PRN/LDMOST/REEL13/

RF Mosfet LDMOS 28V 2A 1.8GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 65W SOT539B


得捷:
TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B


BLF6G20S-230PRN:11中文资料参数规格
技术参数

频率 1.8GHz ~ 1.88GHz

输出功率 65 W

增益 17.5 dB

测试电流 2 A

工作温度Max 150 ℃

额定电压 65 V

封装参数

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF6G20S-230PRN:11引脚图与封装图
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